Память оперативная Samsung DDR4 8GB UNB SODIMM 3200 (M471A1G44CB0-CWE)

ФОТО ДОСТАВКА ОТЗЫВЫ ▼ Подробнее

7 860 ₽

В МАГАЗИНКотоФото

Найдено в: КотоФото
Производитель: Samsung
Артикул: M471A1G44CB0-CWE
Код: 2066000049874
Возможен самовывоз

Найти похожие на AliExpress

в Джум +

Описание

Для кого и под какие задачи Эта планка памяти предназначена для апгрейда ноутбуков, компактных ПК и моноблоков, где производительность изначальных модулей часто оказывается недостаточной. Она отлично подойдет для повышения отзывчивости системы в повседневной многозадачности - работе с десятками вкладок в браузере, офисными пакетами и нетребовательными приложениями. Для современных игр или профессиональных задач монтажа и рендеринга одного модуля объёмом 8 ГБ будет маловато, но он станет отличным началом или дополнением для создания двухканальной конфигурации суммарным объёмом 16 или 32 ГБ. Тип, поколение и форм-фактор памяти Модуль использует современный стандарт DDR4, обеспечивающий повышенную пропускную способность и более низкое энергопотребление по сравнению с устаревшей DDR3. Ключевой особенностью является форм-фактор SO-DIMM - компактный размер, разработанный специально для ноутбуков, мини-ПК, моноблоков и некоторых материнских плат формата Mini-ITX. Это значит, что планка физически не подойдет для стандартного слота DIMM в настольных компьютерах, и совместимость нужно проверять в первую очередь по форм-фактору. Объём, частота и реальная производительность Объём одного модуля составляет 8 ГБ, что является популярным и сбалансированным вариантом для многих пользовательских систем. Частота 3200 МГц предлагает хороший запас пропускной способности для платформ, которые её поддерживают, положительно влияя на скорость отклика системы и производительность встроенной графики процессора. В одноканальном режиме этот модуль обеспечит базовый прирост, но для раскрытия потенциала скорости, особенно в играх и приложениях, чувствительных к скорости памяти, рекомендуется устанавливать две идентичные планки для активации двухканального режима. Тайминги, напряжение и профили разгона Модуль работает на стандартном для DDR4 напряжении 1.2 В, что способствует энергоэффективности и умеренному тепловыделению. Конкретные тайминги (например, CL22) определяют латентность памяти - задержку между запросом данных и их получением. Эта модель, скорее всего, не поддерживает профили автоматического разгона вроде XMP, что типично для многих OEM-модулей для ноутбуков. Она будет работать на максимальной частоте, которую официально поддерживает процессор и материнская плата, и её совместимость очень высока. Совместимость с платформой Модуль совместим с ноутбуками, моноблоками и компактными системами, оборудованными слотами SO-DIMM стандарта DDR4. Для работы на заявленной частоте 3200 МГц её должен поддерживать установленный процессор (например, современные мобильные CPU Intel Core 10-го поколения и новее или AMD Ryzen серии 4000/5000) и чипсет материнской платы. Если платформа поддерживает только 2666 или 2933 МГц, память автоматически понизит частоту до максимально возможной, сохраняя полную работоспособность. Радиаторы, охлаждение и внешний вид Данный модуль выполнен в классическом OEM-исполнении без радиатора и декоративной подсветки. Это делает планку максимально низкопрофильной, что гарантирует беспроблемную установку в любой ноутбук или компактный корпус, где зазор может быть критически мал. Отсутствие активного охлаждения не является проблемой, так как память с напряжением 1.2 В и без экстремального разгона не склонна к сильному нагреву даже под продолжительной нагрузкой. Комплектность, режимы работы и расширение Это одиночный модуль объемом 8 ГБ. Для достижения максимальной производительности в системах, поддерживающих двухканальный режим, рекомендуется приобрести вторую идентичную планку и установить их в правильные слоты (обычно обозначенные одним цветом). Смешивание этого модуля с памятью другого производителя, объёма или частоты может привести к работе всей системы на наихудших общих параметрах, поэтому для расширения оптимально выбирать максимально похожую модель. Важные нюансы перед покупкой Перед покупкой обязательно убедитесь, что ваша система использует именно DDR4, так как поколения памяти несовместимы физически и электрически. Проверьте спецификации процессора и материнской платы на предмет поддержки частоты 3200 МГц, иначе память будет работать на меньшей скорости. Этот модуль - надежное и совместимое решение для апгрейда ноутбука или компактного ПК, но если ваша цель - сборка мощного игрового настольного компьютера, вам потребуются планки стандарта DIMM, часто с поддержкой XMP и радиаторами.

Характеристики

Напряжение питания1, 2
Объем одного модуля, Гб8
Тактовая частота3200
Тип памятиDDR4
Форм-факторSO-DIMM
Наименование Память оперативная Samsung DDR4 8GB UNB SODIMM 3200 (M471A1G44CB0-CWE)
Категория Компьютерная техника и ПО/Компьютерные комплектующие/Оперативная память
Производитель Samsung
Условия гарантии Гарантия производителя
Артикул M471A1G44CB0-CWE
Штрих-код 2066000049874
Способ получения Доставка, самовывоз
Продавец КотоФото
Актуальность 04.11.2026

Особое мнение^{что это?}

Память оперативная Samsung DDR4 8GB UNB SODIMM 3200 (M471A1G44CB0-CWE) представляет собой функциональное решение для расширения возможностей вычислительной техники. Данный компонент разработан для обеспечения стабильной работы бытовых и офисных ноутбуков, а также малогабаритных системных блоков ПК (неттопов). Компактный модуль ОЗУ базируется на плате из зеленого текстолита, которая включает в себя 4 чипа памяти. Особенностью конструкции является то, что чипы смонтированы на одной стороне печатной платы, что соответствует стандарту SO-DIMM. Использование данной памяти позволяет эффективно использовать свободный слот SODIMM на материнской плате устройства или произвести замену текущей планки с меньшими характеристиками.

Технические параметры модуля обеспечивают высокую эффективность при выполнении различных задач. Тип памяти DDR4 обладает пропускной способностью PC25600, что позволяет компоненту поддерживать работу при уровне тактовой частоты от 1600 до 3200 МГц. Установленная тактовая частота 3200 МГц способствует ускорению процессов обработки данных. Объем одного модуля, Гб: 8, что составляет 8192 МБ, предоставляя достаточный ресурс для современных приложений. При этом напряжение питания составляет всего 1,2 В, что способствует энергоэффективности при эксплуатации мобильных устройств.

Применение данного модуля ОЗУ может служить средством повышения производительности ноутбука или неттопа. Благодаря форм-фактору SO-DIMM, оперативная память Samsung [M471A1G44CB0-CWE] 8 ГБ легко интегрируется в компактные системы. Объем планки оперативной памяти набора Samsung [M471A1G44CB0-CWE] – 8192 МБ позволяет существенно увеличить объем доступной оперативной памяти. Стабильная работа Samsung обеспечивается за счет качественного исполнения платы из зеленого текстолита и точной компоновки элементов, что делает этот модуль полезным дополнением для модернизации компьютерного оборудования.